IRFSL3206PBF Infineon

Id - непрерывный ток утечки: 210 A, Pd - рассеивание мощности: 300 W, Qg - заряд затвора: 120 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.4 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1.8 V, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 9.45 mm, Длина: 10.2 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: Infineon / IR, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-262-3, Ширина: 4.5 mm, Вес, г: 1.6, Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

IRFSL3206PBF – артикул товара бренда Infineon. Купите IRFSL3206PBF по специальной цене оптом или в розницу. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов. Купить IRFSL3206PBF Infineon оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России. Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IRFSL3206PBF.